枪式磁控溅射源
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶4的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的枪式磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较，靶材利用率提高80％以上，溅射速率提高50％。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面，应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后，能提高其应用价值，产生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。
基本信息
专利标题 ：
枪式磁控溅射源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87105701A
申请号 ：
CN87105701.8
公开（公告）日 ：
1988-06-15
申请日 ：
1987-08-18
授权号 ：
CN1004558B
授权日 ：
1989-06-21
发明人 ：
王德苗梁素珍任高潮徐电陈抗生
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN87105701.8
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1994-09-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-02-14 ：
授权
1989-06-21 ：
审定
1988-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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