一种磁极回转的圆形平面磁控溅射靶
授权
摘要
本发明提供一种磁极回转的圆形平面磁控溅射靶，包括：靶基座，其为中空的圆柱形结构；磁极回转系统，其设置靶基座上，并与靶基座可活动的连接；所述磁极回转系统为可旋转的结构；磁极，其设置在磁极回转系统上，并被磁极回转系统带动旋转。本发明将多个磁极沿磁极回转系统的径向均布放置，使得磁感应线沿靶材周向排布，并且本发明中磁极可以回转，从而防止靶材表面形成明显的刻蚀沟槽，提高了靶材的利用率与溅射速率，从而解决现有技术中的不足。
基本信息
专利标题 ：
一种磁极回转的圆形平面磁控溅射靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113174576A
申请号 ：
CN202110450572.X
公开（公告）日 ：
2021-07-27
申请日 ：
2021-04-25
授权号 ：
CN113174576B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
朱国刘文玉
申请人 ：
湖南城市学院
申请人地址 ：
湖南省益阳市迎宾东路518号
代理机构 ：
长沙惟盛赟鼎知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
滕澧阳
优先权 ：
CN202110450572.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-08-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210425
申请日 : 20210425
2021-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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