一种真空磁控溅射平面阴极体的绝缘结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种真空磁控溅射平面阴极体的绝缘结构,应用于真空磁控溅射设备,真空磁控溅射设备至少包括盖板、平面阴极体、夹在盖板与平面阴极体之间的绝缘垫,盖板与平面阴极体之间还设置有用于冷却平面阴极体的进水管和出水管,进水管和出水管都套设有第一绝缘套,第一绝缘套包括连接在盖板上的第一保护套、以及连接在平面阴极体上的第二保护套,第一保护套和第二保护套都为管形且轴侧端部相抵触,真空磁控溅射平面阴极体的绝缘结构还包括第二绝缘套,进水管和出水管都设置在同一个第二绝缘套中,第二绝缘套包括至少两个弧形的绝缘片。第二绝缘套能够阻隔盖板与平面阴极体导通,且其拆卸安装都较为简单,缩短了维护时间。
基本信息
专利标题 :
一种真空磁控溅射平面阴极体的绝缘结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920977613.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-26
授权号 :
CN210140623U
授权日 :
2020-03-13
发明人 :
吴壮解孝辉俞亚军张青涛
申请人 :
吴江南玻华东工程玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴江区经济开发区庞金路869号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
陈婷婷
优先权 :
CN201920977613.9
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2020-03-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210140623U.PDF
PDF下载