离子源及离子刻蚀设备

授权

摘要

本实用新型公开了一种离子源及离子刻蚀设备，包括栅栏、射频电源线圈、石英腔、气流导向结构和用于调节离子源产生的离子流密度的可调磁场装置，所述可调磁场装置包括至少三个不同轴的电磁铁，所有电磁铁均连接有调节角度的驱动装置，所有电磁铁之间相互独立，通过改变各个电磁铁的电流和倾斜角，产生不同强度和方向的磁场，它们就可以独立或者共同耦合来改变离子流的密度，进而提高整个区域的刻蚀速率均匀度。

基本信息

专利标题：

离子源及离子刻蚀设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022399024.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-26

授权号：

CN213184195U

授权日：

2021-05-11

发明人：

唐云俊王昱翔周虹玲周东修

申请人：

浙江艾微普科技有限公司

申请人地址：

浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢

代理机构：

嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

王大国

优先权：

CN202022399024.2

主分类号：

H01J27/18

IPC分类号：

H01J27/18 H01J37/08 H01J37/305