本发明涉及一种可动多离子源配置的离子束刻蚀机，属于半导体刻蚀技术领域。可动多离子源配置的离子束刻蚀机，该刻蚀机包括反应腔体，该反应腔体上设有窗口，反应腔体的中心处布置电极运动驱动机构，电极运动驱动机构上设有载片电极，载片电极上放置晶圆；反应腔体内位于晶圆的上方设有一个或多个离子源；一个或多个离子源与晶圆之间布置分别布置中和器；一个或多个离子源所发出的离子束通过中和器所发出的中和束流。采用多离子源及其活动功能的配置可以在晶圆自身取消公转后实现晶圆表面接收到的离子数量最大程度的相同，提高晶圆表面刻蚀的均匀性。同时可以根据刻蚀的结果，随时调整离子源的位置，实现刻蚀过度或刻蚀不足部位的灵活调整性。