一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法
授权
摘要
本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
基本信息
专利标题 ：
一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110571122A
申请号 ：
CN201910875909.4
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN110571122B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
许开东李娜胡冬冬侯永刚程实然刘海洋蒋中原陈璐
申请人 ：
江苏鲁汶仪器有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
李想
优先权 ：
CN201910875909.4
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20190917
申请日 : 20190917
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
