离子源室及设备
授权
摘要
本实用新型实施例涉及一种离子源室及设备，离子源室包括：相对的第一电极和第二电极；其中，所述离子源室处于工作状态时，所述第一电极的电位高于所述第二电极的电位；具有第一镂空区的第一侧板，所述第一电极位于所述第一镂空区内，所述第一电极与所述第一侧板绝缘。本实用新型能够提高离子源室的安全性能，降低维护保养成本。
基本信息
专利标题 ：
离子源室及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921761382.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-18
授权号 ：
CN210668265U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
蒋明亮
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201921761382.4
主分类号 ：
H01J37/08
IPC分类号 ：
H01J37/08 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置
H01J37/08
离子源；离子枪
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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