一种新型高能离子源设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种新型高能离子源设备，包括放电室、离子光学系统、电源系统和辅助系统；放电室一侧有阴极靶，另一侧有屏栅，工作/反应气体从放电室通入真空室；离子光学系统由屏栅、加速栅和接地栅组成，用于将离子从放电室引出形成离子束流；使用高离化率磁控溅射产生离子；高离化率磁控溅射放电波形与离子光学系统其它电压波形的同步控制引出离子并加速形成离子束流。
基本信息
专利标题 ：
一种新型高能离子源设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420522A
申请号 ：
CN202111670619.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李刘合邓大琛
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
魏伟
优先权 ：
CN202111670619.X
主分类号 ：
H01J37/08
IPC分类号 ：
H01J37/08 H01J37/147 H01J37/317 C23C14/35 C23C14/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置
H01J37/08
离子源；离子枪
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/08
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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