表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源，放电室外部有绝缘陶瓷和处于正高电位的后盖板，控制后极靴和阴极伸进放电室的长度得到发散场，并提高了离子源的引出电压。本离子源，结构紧凑、简单、效率高；可以直接加速离子到达离子注入所需要的高能量。在材料表面处理中可以提高金属表面的硬度、耐磨性、抗腐蚀性和抗疲劳性，并对基体外形尺寸无明显影响。
基本信息
专利标题 ：
表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86201075.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-03-01
授权号 ：
CN86201075U
授权日 ：
1986-12-31
发明人 ：
冯毓材
申请人 ：
中国科学院空间中心
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
戊志敏
优先权 ：
CN86201075.6
主分类号 ：
H01J37/08
IPC分类号 ：
H01J37/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置
H01J37/08
离子源；离子枪
法律状态
1994-06-01 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-05-08 ：
专利权有效期的续展
1986-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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