掩模数据生成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种掩模数据生成方法。对N型栅极部分算出由于光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第一加工差。接着，对P型栅极部分算出由于光刻工序带来的抗蚀图案尺寸和由于干蚀刻工序带来的加工尺寸之间的第二加工差。接着，算出第一加工差和第二加工差的差值(ΔLp)，并利用已算出的差值对已从设计数据抽出的P型栅极部分进行校正。接着，通过对已利用该差值校正了的设计数据施加光强度仿真来生成掩模数据。因此，在含有双栅极结构的半导体集成电路器件的掩模数据中，能够在导电型不同的栅极部分将对由于干蚀刻产生的尺寸差进行的校正组合到光强度仿真中。
基本信息
专利标题 ：
掩模数据生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1834782A
申请号 ：
CN200610009412.7
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
玉置德彦
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610009412.7
主分类号 ：
G03F1/08
IPC分类号 ：
G03F1/08 G03F7/00 H01L21/027
法律状态
2008-12-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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