制造极紫外（EUV）光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法...
公开
摘要
提供了一种方法。所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。
基本信息
专利标题 ：
制造极紫外（EUV）光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355721A
申请号 ：
CN202111179241.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴钟根朴相昱曹敬千朴钟主
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴晓兵
优先权 ：
CN202111179241.3
主分类号 ：
G03F1/22
IPC分类号 ：
G03F1/22 G03F1/24 G03F1/54
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
