光刻掩模板缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种光刻掩模板缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括:获取检测图像和参考图像;根据结构元素方向算子、检测图像以及参考图像分别计算得到检测图像各个像素点的方向形态学梯度以及参考图像各个像素点的方向形态学梯度;计算检测图像各个像素点的方向形态学梯度减去参考图像对应位置处的各个像素点的方向形态学梯度的差值,根据差值得到检测图像与参考图像的差影图;根据差影图对光刻掩模板进行缺陷检测。通过本发明,采用方向形态学梯度方法而非邻近单元灰度对比法对光刻掩模板进行缺陷检测,避免了通过邻近单元灰度比对法对光刻掩模板进行检测的检测结果不够精确的问题。
基本信息
专利标题 :
光刻掩模板缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114419045A
申请号 :
CN202210325237.1
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-03-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙杰杨义禄张国栋李波
申请人 :
武汉中导光电设备有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市武汉经济技术开发区高科技产业园16号楼4楼
代理机构 :
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张凯
优先权 :
CN202210325237.1
主分类号 :
G06T7/00
IPC分类号 :
G06T7/00 G06T7/11 G06T7/12 G06T7/174 G06T7/41
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 7/00
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载