图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法，以改善现有技术在制作高分辨率有机电致发光显示器件时，存在牺牲层难于去除，且去除过程中容易损伤量子点发光层，致使量子点发光器件效率较低的问题。所述图案化量子点发光层的制作方法，包括：在衬底基板的一侧形成牺牲层；在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀；在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；在预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。
基本信息
专利标题 ：
图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373878A
申请号 ：
CN202011099330.2
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卓
申请人 ：
北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区地泽路9号1幢407室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
于本双
优先权 ：
CN202011099330.2
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/50
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20201014
申请日 : 20201014
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
