一种量子点发光二极管及制作方法
公开
摘要
本发明提供了一种量子点发光二极管及制作方法，量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积，而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射，从而对光进行光路调整，光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点发光二极管及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583087A
申请号 ：
CN202210372331.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王福芝刘怡娜朱晓东王洋李美成白一鸣
申请人 ：
华北电力大学
申请人地址 ：
北京市昌平区北农路2号华北电力大学
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张影
优先权 ：
CN202210372331.2
主分类号 ：
H01L51/52
IPC分类号 ：
H01L51/52 H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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