插塞结构及其制作工艺

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摘要

本发明公开一种插塞结构及其制作工艺，该插塞结构包含一第一介电层、一第二介电层、一阻障层以及一第二插塞。第一介电层位于一基底上，第一介电层具有一第一插塞位于其中，其中第一插塞连接位于基底中的一源/漏极。第二介电层位于第一介电层上，且第二介电层具有一开口暴露出第一插塞。阻障层顺应覆盖开口，其中阻障层具有一底部以及一侧壁部，且底部为单层并连接第一插塞，而侧壁部为双层。第二插塞填满开口并位于阻障层上。此外，本发明更提供一种形成此插塞结构的制作工艺。

基本信息

专利标题：

插塞结构及其制作工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111554659A

申请号：

CN202010253793.3

公开（公告）日：

2020-08-18

申请日：

2013-03-29

授权号：

CN111554659B

授权日：

2022-05-24

发明人：

洪庆文黄志森曹博昭

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN202010253793.3

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768