形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法
实质审查的生效
摘要
一种制造图形化硬遮罩的方法包括:在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。借此，可以通过开口狭小的图形化硬遮罩，进而利用图形化硬遮罩形成精细的金属线(宽度小于或等于12.5纳米)，且仅使用一个图形化硬遮罩就可以形成相当细的金属线。
基本信息
专利标题 ：
形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446873A
申请号 ：
CN202111208602.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王建忠丘世仰
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111208602.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211018
申请日 : 20211018
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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