在基片上形成的光子器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明针对发射或吸收具有短波长的光的光子器件，其通过使用基片上生长的氧化钼形成，所述基片由从以下选择的材料组成：单质半导体、III－V或II－IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。实现了发射具有从蓝到深紫外线的波长的光的新的便宜的光子器件。
基本信息
专利标题 ：
在基片上形成的光子器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828953A
申请号 ：
CN200610005082.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河东田隆
申请人 ：
河东田隆
申请人地址 ：
日本高知县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200610005082.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/0256 H01L21/20 H01L31/18 H01S5/00
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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