横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置

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摘要

本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成漂移区；在所述漂移区中形成阱区和漏区，在所述阱区中形成源区和沟道；执行第一类型的离子注入，以在所述漂移区的底部形成沿所述阱区到所述漏区方向延伸的第一离子注入区；在所述第一离子注入区上方形成若干相互间隔的深沟槽隔离结构和位于相邻深沟槽隔离结构之间的鳍片结构；形成第二离子注入区，以使所述第一离子注入区和所述第二离子注入区交替设置；对鳍片结构的侧壁执行第二类型的离子注入，以在所述鳍片结构的侧壁上形成侧墙离子注入区，其中，所述第一类型的离子与第二类型的离子类型不同。

基本信息

专利标题：

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法、电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112530805A

申请号：

CN201910884490.9

公开（公告）日：

2021-03-19

申请日：

2019-09-19

授权号：

CN112530805B

授权日：

2022-04-05

发明人：

何乃龙

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

代理机构：

北京市磐华律师事务所

代理人：

冯永贞

优先权：

CN201910884490.9

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/06 H01L29/78