一种低压低温单片式工艺外延机台
授权
摘要
本实用新型适用于半导体硅锗外延设备领域，具体是一种低压低温单片式工艺外延机台，包括：石英反应腔，在石英反应腔四周加设有多组反射板，而反射板利用上下包围分布在石英反应腔四周的环形的加热灯泡组对石英反应腔加热，其中，加热灯泡组中包含有环形灯丝；以及，反射板利用其表面铺设有的反射涂层对加热灯泡组发出的热量进行反射，并把热量全覆盖无死角集中至石英反应腔中；石英反应腔进行工作时，反射板利用反射涂层反射加热灯泡组发出的热量，并把热量集中至石英反应腔中，进行加热，通过调控多组反射板以及安装在反射板内部的加热灯泡组，来调控加热功率，来达到温度均匀性的效果；提高发光效率和热稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种低压低温单片式工艺外延机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022492913.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN213635911U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
郑锦
申请人 ：
南京原磊纳米材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢305
代理机构 ：
北京专赢专利代理有限公司
代理人 ：
于刚
优先权 ：
CN202022492913.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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