一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法
授权
摘要
本发明涉及碳化硅陶瓷制备技术领域，具体涉及一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法，通过提供一种在坩埚本体内设置有多孔隔板，多孔隔板将坩埚内区域自上而下分隔为气相区、上粉体放置区、下粉体放置区的高纯石墨坩埚，并将其用于高温物理气相传输法制备碳化硅陶瓷，通过在碳化硅粉体中加入外加硅粉，并结合粉料分布形态和制备参数的调整实现提高碳化硅陶瓷的生长速率的技术目的。
基本信息
专利标题 ：
一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112939605A
申请号 ：
CN202110151591.2
公开（公告）日 ：
2021-06-11
申请日 ：
2021-02-03
授权号 ：
CN112939605B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
戴培赟王东娟李晓丽张吉亮殷铭良路金喜
申请人 ：
潍坊工商职业学院
申请人地址 ：
山东省潍坊市诸城市密州街道凤凰路5600号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王颖
优先权 ：
CN202110151591.2
主分类号 ：
C04B35/565
IPC分类号 ：
C04B35/565 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
C04B35/565
以碳化硅为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/565
申请日 : 20210203
申请日 : 20210203
2021-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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