一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法
授权
摘要
本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体涉及一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法。包括将碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料C层。本发明技术方案通过将三种不同粉料分层放置，在提高碳化硅陶瓷生长速率的同时避免了由于生长速率过快所导致的碳化硅晶体缺陷的产生，保证了碳化硅陶瓷的致密性。
基本信息
专利标题 ：
一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112979318A
申请号 ：
CN202110151670.3
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-02-03
授权号 ：
CN112979318B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
戴培赟王东娟李晓丽殷铭良张吉亮路金喜
申请人 ：
潍坊工商职业学院
申请人地址 ：
山东省潍坊市诸城市密州街道凤凰路5600号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王颖
优先权 ：
CN202110151670.3
主分类号 ：
C04B35/565
IPC分类号 ：
C04B35/565 C04B35/622 C04B35/626
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/56
以碳化物为基料的
C04B35/565
以碳化硅为基料的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/565
申请日 : 20210203
申请日 : 20210203
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
