一种提高单晶生长速率装置
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摘要

本实用新型公开了光伏设备技术领域的一种提高单晶生长速率装置,包括储料箱和换热装置,所述储料箱的内腔底部中间位置插接有晶棒,所述储料箱的内腔底部通过焊接固定有多个支撑柱,所述储料箱内腔左侧壁插接有进水管和出水管,所述进水管和所述出水管与所述储料箱焊接固定,所述换热装置通过焊接固定于所述支撑柱的顶部,所述换热装置位于所述晶棒的外部;该提高单晶生长速率装置的设置,结构设计合理,在晶棒的外部安装有换热装置,换热装置的外壁和内壁分别通过氧化剂氧化,提高热辐射系数,在换热装置的内侧壁开有鼓包,鼓包能够增大换热面积,从而能够带走更多的热量,提高单晶硅的生长速度。

基本信息
专利标题 :
一种提高单晶生长速率装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921349280.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-20
授权号 :
CN210394588U
授权日 :
2020-04-24
发明人 :
马腾飞汪奇马新成邹昌盛段永兵王军陈龑
申请人 :
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县工业园区A区
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN201921349280.1
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-04-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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