一种用于晶体生长的化料方法
授权
摘要
本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶体生长的化料方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112553683A
申请号 ：
CN202011209784.0
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN112553683B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
沈伟民雷友述赵言王刚
申请人 ：
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区临港新城云水路1000号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
高伟
优先权 ：
CN202011209784.0
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/14
申请日 : 20201103
申请日 : 20201103
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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