一种可视化CVT硫化物晶体生长装置与方法
公开
摘要
本申请公开了一种适用于单斜相Ga2S3单晶的可视CVT晶体生长装置与方法，属于单晶生长技术领域。将含有Ga2S3多晶原料和ICl3的真空密闭容器在控温区内进行恒温加热；晶体生长结束后降温，得到所述单斜相Ga2S3单晶。生长装置中设计的观察视窗，可以实时观察晶体生长情况，并设定稳定的上升程序，使得晶体结晶界面始终处在恒定的温度点上，进而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸约为Φ10×20mm。
基本信息
专利标题 ：
一种可视化CVT硫化物晶体生长装置与方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574971A
申请号 ：
CN202111591718.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭国聪王国强刘彬文姜小明
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
曲凯歌
优先权 ：
CN202111591718.9
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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