一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转。本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411235A
申请号 ：
CN202210151701.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑国宗胡子钰林秀钦李静雯李鹏飞
申请人 ：
闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
毛薇
优先权 ：
CN202210151701.X
主分类号 ：
C30B7/08
IPC分类号 ：
C30B7/08 C30B29/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/08
溶液冷却法
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/08
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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