一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚
授权
摘要
一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚，涉及坩埚技术领域，具体包括第一层坩埚和第二层坩埚，所述第一层坩埚内壁上加工有台阶肩，所述台阶肩上放置有第二层坩埚，所述第二层坩埚放置在所述第一层坩埚内部，所述第一层坩埚顶部设置有坩埚盖，所述坩埚盖下方设置有籽晶层；本实用新型通过设置两层坩埚，第二层坩埚设置在第一层坩埚内部，不改变坩埚大小，在第二层坩埚底部支撑部上加工有镂空气相孔，增加原料与气相区域接触的界面，使该界面处反应的界面扩大，将能起到提高反应速率，增加生长效率的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种双层结构放置原料的PVT法SiC晶体生长坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920963067.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN210065980U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
赵丽丽刘德超范国峰袁文博张胜涛
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹徐婷
优先权 ：
CN201920963067.3
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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