本实用新型提供了一种晶体生长装置，该装置包括：上坩埚，上坩埚的底部设置有多个上筛孔；下坩埚，其位于上坩埚的下方，下坩埚的底部封闭，顶部设置有多个下筛孔，下筛孔与上筛孔错位设置；保温结构，所述上坩埚和下坩埚均设置在保温结构腔内；升降装置，包括控制上坩埚移动的第一升降装置及控制下坩埚移动的第二升降装置。本实用新型装置通过设置上坩埚和下坩埚，通过上坩埚底部的上筛孔，将晶体生长过程中碳化后的粉料滤掉；通过下坩埚顶部的下筛孔，用于收集碳化后的粉料，减少了碳化后的粉料进入气相组分中，且通过控制上坩埚升降，使得晶体生长用粉料碳化均匀，有效减少了包裹体、微管、位错等缺陷。