加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法
公开
摘要

本发明公开了一种加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法,加料组件适于向单晶生长装置的坩埚内补充原料,加料组件包括:内筒、外筒、第一开关机构和第二开关机构,内筒内形成第一通道,内筒朝向坩埚的一端形成与第一通道连通的第一开口,第一通道内的原料适于通过第一开口落入坩埚,外筒套设在内筒的外周侧,内筒与外筒之间限定出第二通道以及朝向坩埚且与第二通道连通的第二开口,第二通道内的原料适于通过第二开口落入坩埚,第一开关机构适于打开或关闭第一开口,第二开关机构适于打开或关闭第二开口。根据本发明的加料组件,可以较好地控制单次投放至坩埚内的原料量,从而可以较好地减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及熔汤液面波动。

基本信息
专利标题 :
加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114561690A
申请号 :
CN202210348157.8
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-03-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈俊宏
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
徐章伟
优先权 :
CN202210348157.8
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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