单晶硅检测样片择优腐蚀装置
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摘要
一种单晶硅检测样片择优腐蚀装置，包括腐蚀槽、腐蚀花篮、定位部件、盖板，腐蚀槽内壁的上部位置设有支撑台，腐蚀花篮设在腐蚀槽的内部，腐蚀花篮的两个短边搭接在支撑台上，腐蚀花篮的下端与腐蚀槽的底部相接触，腐蚀花篮长边的一侧侧壁与腐蚀槽的内壁不接触，腐蚀花篮的外壁与腐蚀槽之间留有间距，腐蚀花篮其余侧壁与腐蚀槽的内壁相接触，定位部件位于腐蚀花篮外壁与腐蚀槽内壁之间的间距之间，定位部件的两侧分别与腐蚀花篮的外壁及腐蚀槽的内壁卡接，将腐蚀花篮固定在腐蚀槽内，盖板设置在腐蚀槽的顶部；本实用新型配合腐蚀花篮设计专用的腐蚀槽，降低了腐蚀液单次使用量，并且腐蚀槽摆动过程中，腐蚀花篮可相对固定，从而稳定腐蚀过程。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅检测样片择优腐蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022192342.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN213337262U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
倪浩然祁海滨冉泽平谢国荣李金波王忠保王凯
申请人 ：
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 ：
宁夏合天律师事务所
代理人 ：
曹广涛
优先权 ：
CN202022192342.1
主分类号 ：
G01N17/00
IPC分类号 ：
G01N17/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N17/00
测试材料的耐气候，耐腐蚀，或耐光照性能
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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