一种用于晶片支撑装置的调制样片，所述调制样片尺寸与产品晶片尺寸相同，利用所述调制样片调节所述晶片支撑装置时，所述调制样片置于所述晶片支撑装置内的清洗部件上方，所述调制样片附有高度检测装置，所述高度检测装置位于所述调制样片边缘。通过在调制样片上附加一空隙高度检测装置，继而保证废液收集装置的侧壁与调制样片的空隙高度满足预定要求，即可同时保证废液收集装置的侧壁不损伤调制样片以及清洗污染晶片背面的旋涂物质后获得的混合溶液被废液收集装置接收，而不污染旋涂室或与另行接收的多余的旋涂物质混合。