降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法

授权

摘要

本发明提供一种降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法，属于单晶硅生产技术领域。在熔料工序结束后，增加消泡工序，通过将坩埚锅位提高至80mm～150mm，控制硅熔液液面温度为1480℃～1550℃，控制硅熔液液面上方气氛压力为0～1000pa的手段，提高硅熔液轴向温度梯度，加强硅熔液自然对流，并在此状态下，保持0.5h～2h后，进入稳定化工序。通过增加消泡工序，所拉制的单晶晶棒切片的次品率降低，尤其地，当采用热涂层的坩埚时，所拉制的单晶晶棒切片的次品率由0.5%降低至0.2%，效果显著。

基本信息

专利标题：

降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112853477A

申请号：

CN202011628082.6

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2020-12-31

授权号：

CN112853477B

授权日：

2022-06-10

发明人：

林通梁万亮丁亚国马国忠顾燕滨

申请人：

宁夏银和新能源科技有限公司

申请人地址：

宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号

代理机构：

宁夏合天律师事务所

代理人：

郑重

优先权：

CN202011628082.6

主分类号：

C30B15/20

IPC分类号：

C30B15/20 C30B29/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

C30B15/20

控制或调节

法律状态

2022-06-10 ：

授权

2022-03-25 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : C30B 15/20
变更事项 : 申请人
变更前 : 宁夏银和新能源科技有限公司
变更后 : 宁夏申和新材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号

2021-06-15 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20201231

2021-05-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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