一种降低直拉单晶断苞的生产工艺
实质审查的生效
摘要

本发明一种降低直拉单晶断苞的生产工艺,在等径初期拉制过程中,晶体生长高度分为四个阶段,分别为第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段;在每一阶段中均包括控制晶体生长的晶体转速、石英坩埚转速和热场温度;从第一阶段到第四阶段中,晶体转速先以初始转速运行后缓慢增大,再以恒定转速运行;石英坩埚转速以从转肩处转入等径初期的初始转速稳定不变;稳定热场温度先以从转肩结束时转入等径初期的初始温度稳定运行后缓慢降低,再以恒定温度继续运行。本发明降低石英坩埚于熔体之间的摩擦,减小杂质出现,避免杂质富集于晶体头部段,降低单晶断苞几率;同时改善熔体热气流对晶体质量的影响,使晶体头部的氧含量有所降低,提高产品质量。

基本信息
专利标题 :
一种降低直拉单晶断苞的生产工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481301A
申请号 :
CN202011259858.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-11-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴树飞郝瑞军赵国伟周泽刘振宇杨瑞峰刘学王建宇
申请人 :
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN202011259858.1
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20201112
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332