单晶炉用连接组件及单晶炉
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摘要

本实用新型涉及光伏领域,公开了一种单晶炉用连接组件及单晶炉。单晶炉用连接组件用于连接副室与旋板阀,包括连接柱、卡盘以及驱动组件;连接柱的一端连接在旋板阀上,连接柱上设置有沿其径向凸出的第一凸台;卡盘卡接在副室上并通过驱动组件与副室连接;卡盘上设置有葫芦孔,葫芦孔包括大孔和小孔,连接柱穿设在葫芦孔内且第一凸台位于葫芦孔的上方,第一凸台的直径小于大孔的内径且大于小孔的内径,当连接柱位于大孔内时,副室与旋板阀脱离;当连接柱位于小孔内时,副室与旋板阀连接。本实用新型提供的单晶炉用连接组件可以大大简化副室与旋板阀的连接、脱离的结构,提高了副室与旋板阀连接、脱离的效率,就能够有效地保证单晶炉的生产效率。

基本信息
专利标题 :
单晶炉用连接组件及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922013505.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN210886310U
授权日 :
2020-06-30
发明人 :
王维胥俊东常晓鱼陈辉
申请人 :
北京北方华创真空技术有限公司
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼北门4层
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
韩世虹
优先权 :
CN201922013505.2
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-06-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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