一种单晶炉加料辅助装置及单晶炉加料组件
授权
摘要
本实用新型提供了一种单晶炉加料辅助装置及单晶炉加料组件，涉及单晶炉技术领域，单晶炉加料辅助装置包括顶盖、底盖以及呈管状结构的装置主体；顶盖覆盖装置主体的一端；底盖覆盖装置主体的另一端，底盖远离装置主体的底面设置有连接部；装置主体的侧壁设置有重锤安装口；拉绳安装缝隙从重锤安装口的边沿延伸至顶盖中心位置。可以使重锤通过重锤安装孔和拉绳安装缝移入装置主体中，并在通过底盖上设置的连接部悬挂加料器，从而在不拆卸重锤的情况下，将加料器下放至单晶炉内完成加料，并在完成加料后，在不拆卸重锤的情况下将重锤与单晶炉加料辅助装置和加料器移除，避免了在加料过程前后反复拆装重锤而导致的重锤损坏和拉晶效果下降的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉加料辅助装置及单晶炉加料组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122114446.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
CN216192865U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李晓冰杨月令蒋月华陈新军刘立军余飞张楠楠
申请人 ：
保山隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
云南省保山市隆阳区辛街乡长岭岗龙陵园
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202122114446.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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