单晶炉二次加料装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供了一种单晶炉二次加料装置,属于单晶硅生产设备技术领域。包括钼杆、石英套管、石英椎盖、石英筒体及固定架,石英套管套接于钼杆外侧,石英椎盖固定连接钼杆的一端,石英筒体套接于石英套管的外侧,石英筒体的内径小于石英椎盖的最大椎径,且石英筒体的底端与石英椎盖的外壁充分接触,固定架设置于石英筒体远离石英椎盖的一端,且连接石英套管。固定架的中心处贯穿开设有钼杆导向孔,钼杆贯穿通过所述钼杆导向孔,并能够相对钼杆导向孔滑动。石英筒体与石英套管之间形成的无阻挡物的料腔,从而减少下料阻力。由于石英套管相对石英套筒不固定,在二次加料过程中,石英套管随钼杆位移,金属钼暴露在原料中,造成原料的金属污染。

基本信息
专利标题 :
单晶炉二次加料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920915941.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-18
授权号 :
CN210134180U
授权日 :
2020-03-10
发明人 :
闫龙小暮康弘曹启刚王黎光
申请人 :
宁夏银和半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN201920915941.6
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-03-23 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
2020-03-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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