一种单晶炉用的自动加料装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉用的自动加料装置，包括支撑杆、底座、加料装置和控制装置，所述支撑杆的下端面固定在所述底座中间部位的上端面，所述加料装置位于所述支撑杆的右侧，所述加料装置通过电线连接所述控制装置，还包括竖直丝杆和伺服电机，所述加料装置包括储料装置和进料装置，所述储料装置由上至下分为进料区域、研磨区域、出料区域，所述进料装置包括导料管、导料箱和进料管，所述进料装置位于所述储料装置的下方。本申请装置使用简单，方便加料，不影响单晶硅的生产制造。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用的自动加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921850339.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN211036179U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
王志磊张燕玲邢德春王志卿于彩凤
申请人 ：
晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN201921850339.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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