用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置、方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置、方法。上述加料装置具有加料筒,加料筒具有相对设置的进料端以及出料端,加料筒的侧壁上设有第一气孔,第一气孔具有进气口以及出气口,第一气孔用于自加料筒的外部向加料筒的内部吹送气体,第一气孔的出气口的出气方向偏向进料端。加料时,自加料筒的进料端加入硅料,在加入硅料的同时,通过第一气孔向加料筒的内部吹送气体,形成朝向进料端的气流。气流将纳米级或微米级细小料及时从加料筒的进料端排出,从而避免细小料随着复投过程而进入单晶热场内,而导致污染热场、降低晶棒品质的问题。使用上述加料装置进行加料,能够提高引放成活率以及整棒率,减少断线率。

基本信息
专利标题 :
用于多次加料直拉单晶工艺的加料装置、方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318501A
申请号 :
CN202111667746.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪晨张华利周声浪宋亚飞赵玉兵周洁
申请人 :
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济开发区杨山路88号
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
王南杰
优先权 :
CN202111667746.4
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20211230
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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