一种直拉法单晶炉用加料器防尘罩
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摘要
本实用新型公开了一种直拉法单晶炉用加料器防尘罩,包括防尘罩主体,所述防尘罩主体的顶部设置有加料口,所述防尘罩主体的左侧的顶部设置有排气孔,所述加料口的顶部设置有加料漏斗,所述加料漏斗的顶部设置有漏斗压环,所述防尘罩主体顶部的中心处设置有开槽,防尘罩主体的左侧设置有定位孔。本实用新型通过设计防尘罩主体,圆柱体的防尘罩主体可以对加料器进行防尘,避免在将硅料倒入加料器的时候会有大量硅料粉尘飘散,污染单晶炉内壁导致产品质量下降,保证工作人员的生命健康,通过设计加料口,以便进行加料操作,通过设计排气孔,方便气体的排出,从而提高防尘效果,解决了现有防尘效果差的问题。
基本信息
专利标题 :
一种直拉法单晶炉用加料器防尘罩
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922007169.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN210856404U
授权日 :
2020-06-26
发明人 :
王琳金鑫耿来波
申请人 :
陕西西京电子科技有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市雁塔区电子城电子西街3号502厂房
代理机构 :
北京兴智翔达知识产权代理有限公司
代理人 :
范万兴
优先权 :
CN201922007169.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06 C30B35/00 B08B15/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-06-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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