单晶成长炉下料器
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种单晶成长炉下料器，利用模块化的下料装置，如第一下料模块与第二下料组，来达到缓冲料品落至坩锅熔汤中的冲击力。再者，第一下料模块还具有重量量测装置，由此侦测已投递料品重量，以免除过度或投料不足的缺失，且在可侦测已投递料品重量的前提下，料品将可以是各种形状，无须再次经过精密的研制步骤，可大幅地降低料品的成本。
基本信息
专利标题 ：
单晶成长炉下料器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820119678.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-08-04
授权号 ：
CN201250299Y
授权日 ：
2009-06-03
发明人 ：
徐忠龙谢兆坤徐文庆何思桦
申请人 ：
昆山中辰矽晶有限公司
申请人地址 ：
215300江苏省昆山市高新技术园汉浦路303号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周长兴
优先权 ：
CN200820119678.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2018-08-28 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20080804
授权公告日 : 20090603
申请日 : 20080804
授权公告日 : 20090603
2009-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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