一种用于单晶炉加料器的挂件结构
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摘要

本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其涉及一种用于单晶炉加料器的挂件结构,包括:上连接部、下连接部和连接销;上连接部为圆柱结构;上连接部上具有与上连接部同轴设置的螺纹孔;下连接部包括:第一板件和第二板件;第一板件设置在上连接部上;第一板件上具有支撑孔一;第二板件设置在下连接部上;第二板件上具有支撑孔二;支撑孔一与支撑孔二同轴设置;支撑孔一的轴线与第一板件和第二板件的对称面具有预定夹角;预定夹角为65度~85度;连接销被支撑孔一和支撑孔二支撑;连接销上具有支撑部;支撑部的支撑面与第一板件和第二板件的对称面垂直。采用本实用新型能够减少挂料过程中的剐蹭,改善硅单晶少数载流子寿命。

基本信息
专利标题 :
一种用于单晶炉加料器的挂件结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021761560.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-21
授权号 :
CN212895078U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
张鹏马伟萍乔乐刘学金杨佳辉王军张创豆欣妍
申请人 :
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN202021761560.6
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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