多次加料直拉单晶生产方法、取料装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种多次加料直拉单晶生产方法、取料装置。所述多次加料直拉单晶生产方法包括步骤：在连续进行多根单晶棒的拉制之后，将坩埚中的剩余埚底料部分或者全部取出；向所述坩埚中重新加入多晶硅料；所述多晶硅料熔化后，进行下一根单晶棒的拉制。上述多次加料直拉单晶生产方法在连续进行多根单晶棒的拉制之后，将坩埚中的剩余埚底料部分或者全部取出，如此，将金属杂质和碳杂质含量高的多晶硅料取出，更换新的多晶硅料，再进行下一根单晶棒的拉制，能够避免由于连续多次拉制后多晶硅料中杂质富集而导致少子寿命逐根下降、断线率增加的问题。
基本信息
专利标题 ：
多次加料直拉单晶生产方法、取料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481296A
申请号 ：
CN202111594709.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈红荣张华利赵玉兵汪晨
申请人 ：
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济开发区杨山路88号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
黎金娣
优先权 ：
CN202111594709.5
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/00 C30B15/30 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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