一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法
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摘要

本发明公开了一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法,涉及单晶硅生产技术领域。所述生产系统包括相互连接的连续补料装置和单晶硅提拉炉,连续补料装置的炉管设置在壳体内,炉管与壳体之间填充有保温材料,炉管顶部连接有进料仓;炉管呈L型且包括依次连接的熔料管、U型管和导流管,熔料管、导流管、U型管内径依次减小;壳体外侧壁上设置有微波发生器,微波发生器位置与熔料管位置对应,U型管上设置有加热装置,导流管与单晶硅提拉炉顶部设置的进料管连接。通过微波快速加热多晶硅,实现快速熔料;通过U型管和加热装置实现对熔硅的阻断和流通,从而实现按批次熔料补料,实现单晶硅的连续生产,生产效率得到大大提高。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113699584A
申请号 :
CN202110994320.3
公开(公告)日 :
2021-11-26
申请日 :
2021-08-27
授权号 :
CN113699584B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
许磊李航张利波韩朝辉刘建华巨少华夏仡唐治梦朱知
申请人 :
昆明理工大学
申请人地址 :
云南省昆明市一二一大街文昌路68号
代理机构 :
昆明普发诺拉知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
葛玉军
优先权 :
CN202110994320.3
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B15/14  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-06 :
授权
2021-12-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/02
申请日 : 20210827
2021-11-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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