单晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及单晶硅棒加工领域，提供了一种单晶炉，包括：热场结构件，该热场结构件包括保温单元和连接件；保温单元有多个，各个保温单元自上而下同轴设置；保温单元包括保温筒和套设在保温筒外侧的保温层，其中，保温层内开设有卡槽，相邻两个保温层的卡槽连通设置形成连接槽；连接件有多个，凸设于各个保温筒的外侧壁上，用于将相邻的保温筒连为一体，其中连接件分别一一对应地与连接槽卡配连接，以串联固定各个保温单元。该单晶炉便于拆装，进一步提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021777506.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-24
授权号 ：
CN213680970U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
潘军明周涛贺小峰
申请人 ：
包头晶澳太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市青山区装备园区新规划区装备大道21号
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
张一帆
优先权 ：
CN202021777506.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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