一种单晶炉用保温筒结构及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉用保温筒结构及单晶炉，包括底部高温板、下保温筒、中保温筒、上保温筒以及上保温板，上保温筒包括上外保温筒和上内保温筒，上外保温筒连接提升机构并能在提升机构的驱动作用下做上下往复移动。本实用新型通过将上保温筒分为上外保温筒和上内保温筒，在熔料阶段，上外保温筒扣合在中保温筒的顶部，上保温筒的厚度大于或等于中保温筒的厚度，从而减少热量的散失，进而减少硅料的熔料时间，降低能耗；在等径生长阶段，上外保温筒在提升机构的作用下向上提升，此时上保温筒的厚度小于中保温筒的厚度，从而降低热场上部的温度，提高热场的纵向温度梯度，进而提高晶体的等径生长速度，降低单晶硅棒生产的能耗。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用保温筒结构及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020245510.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211814710U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
陈超刘进怀殷勇陈斌
申请人 ：
湖南金创新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙县果园镇果园大道328号
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
邱轶
优先权 ：
CN202020245510.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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