一种单晶炉保温盖结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种单晶炉保温盖结构，包括盖形结构和盖片，盖片设置于盖形结构的盖底，盖片和盖底适配，盖形结构的盖底和盖片均对应设有中心通孔和两个观测窗口，两个观测窗口环绕中心通孔设置。本实用新型的单晶炉保温盖结构，盖形结构可以起到很好的保温作用，下方的盖片可以将单晶炉内的大部分热量反射回炉体，进一步增强保温效果，减小单晶生长的温度梯度。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉保温盖结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922387136.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211947285U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
王博冯徳伸于洪国雷同光李燕
申请人 ：
北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区北三环中路43号二区
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
董李欣
优先权 ：
CN201922387136.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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