一种单晶炉用保温盖及单晶炉
授权
摘要
本实用新型实施例提供的一种单晶炉用保温盖及单晶炉，该单晶炉保温盖包括：多个块体，所述多个块体拼接形成环形结构；所述保温盖的材质包括：在大于或等于预设温度的情况下，不与硅的氧化物发生反应的材质。本实用新型实施例提供的保温盖由于在大于或等于预设温度的情况下，不产生碳扩散现象，因此能够在单晶硅生长过程中，避免碳的污染，能够提高单晶硅的生长质量，此外，本实用新型实施例提供的保温盖由于采用多个块体结构拼接形成，能够提高保温盖的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用保温盖及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020115858.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN212128335U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
韩伟付泽华付楠楠邓浩周锐
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN202020115858.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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