一种单晶炉中保温筒用盖板结构
授权
摘要
本实用新型提供一种单晶炉中保温筒用盖板结构，包括本体，所述本体可被置于保温筒上端面并与所述保温筒上端面相适配；所述本体包括若干扇状件，所述扇状件沿所述本体径向拼接设置。本实用新型一种单晶炉中保温筒用盖板结构，强度高，可稳定安装在保温筒上，并能加固保温筒内的石墨碳毡放置的稳定性；且使石墨碳毡完全放置在保温筒内，并可防止碳毡毛飞出保温筒，保证熔硅液的质量；同时还可提高石墨碳毡温度的汇聚，降低温度散失，提高热场的保温效果。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉中保温筒用盖板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122644278.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
CN216585309U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
安磊李晓东许建王建平王林
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122644278.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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