单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板
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摘要
本实用新型公开了一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板，所述单晶炉包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：盖板本体；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。根据本实用新型的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以更低功率完成空烧的目的，进而可以降低成本。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921914389.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN211546714U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
黄末
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘梦晴
优先权 ：
CN201921914389.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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