一种用于单晶炉的提升装置及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于单晶炉的提升装置，包括设在单晶炉内部且位于炉底(4)上方的提升托盘(1)，以及穿过提升托盘(1)和炉底(4)的坩埚托杆(2)；坩埚托杆(2)从上到下包括第一托杆部(21)和第二托杆部(22)，第二托杆部(22)顶部的直径大于所述第一托杆部(21)底部的直径；提升托盘(1)位于下保温筒(3)下方且其直径大于下保温筒(3)的直径；在提升托盘(1)的轴线位置设有第一通孔(11)，其直径大于第一托杆部(21)底部的直径且小于第二托杆部(22)顶部的直径。本实用新型还公开了应用该提升装置的单晶炉。本实用新型能够在停炉后快速降低石墨件温度，提高热场冷却效率，减小生产成本，提高产量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶炉的提升装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921548238.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN210765579U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
罗才军关树军刘要普罗园李豹
申请人 ：
乌海市京运通新材料科技有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区乌海市海勃湾工业园区装备街2号
代理机构 ：
北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈芹利
优先权 ：
CN201921548238.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210765579U.PDF
PDF下载
