单晶炉导流筒提升装置
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉导流筒提升装置，包括支撑板，所述支撑板的前后两侧上端连接有吊装装置，所述支撑板的上表面中间位置设有液压油箱和液压泵，所述支撑板的下端固定有连接板，连接板的底端固定连接有底板，所述连接板的前侧面中间位置设有第一滑槽，第一滑槽内滑动连接有第一滑块，第一滑块与支撑板之间设有液压伸缩杆，所述液压泵的输入端与外部控制开关的输出端电连接，所述液压泵的液压油输入端通过导管与液压油箱的液压油输出端连接，本装置操作简单，使用快捷方便，单人操作即可完成导流筒的取出作业，降低工作人员的劳动强度，同时使工作人员的安全性得到保障。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉导流筒提升装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920553496.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-22
授权号 ：
CN210048875U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
魏海宁张艳辉
申请人 ：
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
华德明
优先权 ：
CN201920553496.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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